GTO（Gate-Turn-Off Thyristor），门极可关断晶闸管，是一种通过门极来控制器件导通和关断的电力半导体器件，它的容量仅次于普通晶闸管，它应用的关键技术之一是其门极驱动电路的设计。
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门极驱动电路设计不好，常常造成GTO晶闸管的损坏，而门极关断技术应特别予以重视。门极可关断晶闸管GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用。文章源自玩技e族-https://www.playezu.com/163097.html
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GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。文章源自玩技e族-https://www.playezu.com/163097.html
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IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)， 绝缘栅双极型晶体管的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器；GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗；关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度；MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor），金属氧化物半导体场效应管驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的，驱动功率小且电路简单。文章源自玩技e族-https://www.playezu.com/163097.html 文章源自玩技e族-https://www.playezu.com/163097.html